SEM掃描電鏡的原理介紹
日期:2026-01-30 10:46:59 瀏覽次數:201
掃描電鏡作為納米尺度表面分析的核心工具,通過聚焦高能電子束與樣品表面的相互作用實現三維形貌與成分信息的同步獲取。其核心原理基于電子束激發的多種物理信號檢測,突破了光學顯微鏡的分辨率極限,適用于導體、半導體及絕緣體材料。
核心工作原理

SEM掃描電鏡的運作依賴三大核心模塊協同:
電子束發射與聚焦系統:電子槍發射的電子束經加速電壓(通常5-30kV)加速后,通過2-3級電磁透鏡聚焦形成直徑納米級的探針光斑。聚焦后的電子束在掃描線圈驅動下,在樣品表面進行光柵式逐行掃描。
信號激發與檢測系統:入射電子與樣品相互作用產生二次電子、背散射電子、特征X射線等多種信號。二次電子信號對表面形貌高度敏感,分辨率可達1-3nm;背散射電子信號反映原子序數差異,用于成分對比分析。信號探測器(如Everhart-Thornley探測器)將電子信號轉換為電信號,經放大處理后傳輸至顯像系統。
同步掃描與成像系統:電子束在樣品表面的掃描軌跡與顯像管熒光屏的電子束掃描嚴格同步,確保樣品表面特征與熒光屏圖像一一對應。通過調節掃描線圈電流可實現放大倍數連續可調(通常10-300,000倍),結合景深控制技術可獲得立體感強的三維形貌圖像。
典型工作模式
根據實驗需求,掃描電鏡提供多種成像模式:
二次電子成像:通過檢測低能二次電子獲取表面形貌信息,分辨率高且立體感強,廣泛應用于納米材料、生物樣品等軟質表面分析。
背散射電子成像:檢測高能背散射電子反映樣品成分差異,原子序數越大產生的背散射電子越多,適用于礦物相分布、合金成分分析。
電子通道花樣成像:利用晶體樣品對電子的衍射效應,可分析晶格取向、晶界結構等晶體學信息。
能譜分析耦合模式:結合X射線能譜儀(EDS)可實現微區元素定性定量分析,元素檢測范圍從Be至Am,分辨率可達127eV(Mn Kα)。
拓展功能與應用
SEM掃描電鏡的多功能性體現在多維物理性質表征:
表面形貌分析:可觀察納米顆粒尺寸分布、薄膜表面粗糙度、斷口形貌等微觀特征,景深可達毫米級,遠超光學顯微鏡。
成分與結構分析:通過背散射電子信號獲取成分分布,結合電子背散射衍射(EBSD)可解析晶體取向、晶界特征等結構信息。
動態過程觀測:配合環境掃描電鏡(ESEM)可在變溫、變濕度環境下實時觀測材料相變、腐蝕過程等動態行為。
該技術廣泛應用于材料科學(如金屬晶粒分析、陶瓷顯微結構)、生物醫學(如細胞超微結構、病毒形貌)、地質學(如礦物巖相鑒定)、納米技術(如納米線形貌表征)等領域,成為連接宏觀性能與微觀機制的關鍵分析工具。
掃描電鏡通過持續的技術革新,如場發射電子槍、高真空樣品倉、多信號耦合探測等技術,不斷拓展其在量子材料、生物醫學、環境科學等前沿領域的應用邊界,持續推動納米尺度科學探索的深入發展。
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